2-нанометрова технология за процесори идва след по-малко от 5 години

Александър Главчев 15 Юли

TSMC обяви, че е разработила напълно функционална схема за производство на GAAFET транзистори, По предварителни оценки тя ще ѝ позволи да премине от настоящия 5-нанометров и очаквания догодина 3-нанометров процес към 2-нанометров такъв след едва няколко години - през 2023-2024. Това може да се счита за истински пробив сферата, като по всичко личи, че TSMC изпреварва своя конкурент Samsung.

Зад съкращението GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) се крие полеви транзистор с кръгъл гейт и хоризонтално разположение на каналите. Тази технологията трябва да замени сега използваната FinFET, при която каналите на транзисторите са разположени вертикално.

Една от особеностите на GAAFET е че, при тези транзистори гейтът опасва целия елемент, което намалява токовите утечки.

През април TSMC обяви, че няма да се отказва от FinFET при преминаването към 3-нанометров процес. Това би означавало по-малки разходи при прехода от настоящите 7 и 5 нм. По-късно обаче там взеха решение да се придържат към този план, тъй като подходът може да забави по-нататъшното развитие.

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) е един от най-големите производители на полупроводникови продукти. Сред клиентите ѝ са американската компания AMD, както и китайските Huawei и MediaTek, които не разполагат със свои фабрики. Сред нейните партньори пък са Apple и Qualcomm.

Тайванската компания бе първата, която усвои и 5-нанометров производствен процес. По него се произвежда задаващият мобилен флагман на Qualcomm, Snapdragon 875, който се очаква в края на годината. Също така, по предварителна информация, новото поколение iPhone-и на, което се очаква тази есен, ще е базирано на 5-нанометрови A14 чипове.

Южнокорейската Samsung е основният конкурент на TSMC. Там приключиха с работата на своя 5-нанометрова технология през април 2019 г. Производството започна на практика едновременно с TSMC - в началото на настоящото лято.

Първоначално Samsung планираше преминаване към 3 нанометра през 2021 г., но този срок бе коригиран заради ситуацията с коронавируса и сега пускането на първата поточна линия се очаква през 2022-ра.